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鍍膜機

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鍍膜機

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鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空離子蒸發,磁控濺射,MBE分子束外延,PLD激光濺射沉積等很多種。蒸發鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來。并且沉降在基片表面,通過成膜過程形成薄膜。濺射鍍膜,利用電子或高能激光轟擊靶材,并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來,并且最終沉積在基片表面,經歷成膜過程,最終形成薄膜。
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精密刻蝕鍍膜儀

精密刻蝕鍍膜儀

  • 品牌: 美國Gatan
  • 型號: 682
  • 產地:美國
  • 供應商:科揚國際貿易(上海)有限公司

    儀器簡介:型號682精密刻蝕鍍膜儀(PECS) 用于SEM、TEM和EM方面的精密刻蝕鍍膜系統 PECS是一臺理想的具有斜面切割,樣品刻蝕和離子濺射鍍膜功能的儀器,其刻蝕和濺射鍍膜系統中獨一無二的離子束能夠形成鍍膜范圍大、干凈以及可視的樣品滿足掃描電鏡(SEM),透射電鏡(TEM)以及光學顯微鏡(LM)的需求。PECS中獨一無二的設計結構使其成為非常通用的儀器,可選配型號682.40000的斜面切割工具,它是用于切割橫截面部分的獨特工具。技術參數:規格: 離子源 離子槍 三個潘寧離子槍與微型稀土永磁體 離子束能量 1.0 KeV 到10.0 KeV 離子束直徑 刻蝕槍 5mm FWHM;濺射槍 1mm FWHM 離子電流密度 峰 10mA/cm2 氣體流量 氬氣 0.1cc/分/槍 刻蝕范圍 根據離子槍能量為7mm-10mm不等 刻蝕速率 10.0keV下,硅材料約10m/小時,鎢材料約3m/小時 Airlock組裝 樣品載臺 接納1英寸(31mm)金相套和多種SEM短截線 樣本旋轉速率 可變速率10-60 rpm 樣品傾斜角度 固定角度或可變搖擺角度(0° - 90°) 樣品搖擺速率 可變速率5°/秒 - 36°/秒 選配 用于側插TEM的TEM適配器或SEM樣品載臺 鍍膜 鍍膜速率 10.0KeV下約0.5 /秒 碳 及 1.5 /秒 鉻 鍍膜范圍 均勻直徑超過30mm 耙材裝置 一方雙重耙材,可在真空狀態下從外直接選擇耙材 耙材材質 四種耙材選擇(見詳細清單) 厚度監控器 標準-顯示鍍膜速率和全部鍍膜厚度 真空 干燥泵系統 兩個部分,隔膜泵搭配一個70 升/秒渦輪泵 壓力 5E-6 托(6.6E-4Pa)基本壓力 6E-5 托(8E-3Pa)工作壓力 真空計 樣品腔冷陰極規,搭配固態壓力傳感器 樣品調換 Gatan專利 WhisperlokTM,樣品更換時間<1分鐘 液態氮閥 約5小時容量(標準) 活性碳過濾器 真空排氣裝置,以減少碘蒸汽排放到安全標準 尺寸及功率 總尺寸 560mmW x 480mmD x 430mmH (22W x 19D x 17H) 貨運重量 45kg (100 lbs) 電源要求 通用電壓 100VAC-240VAC,50/60Hz 用戶需確定電源型號以保證正確的線路 能量消耗 運行時需200瓦特,離子槍關閉時需100瓦特 氣體需求 氬氣 70psi (4.82 bar) 替代氣體(其它惰性)20psi (1.38 bar) 碘蒸汽用于反應離子束刻蝕(結晶碘由用戶自行提供)主要特點:濕化學刻蝕的替代或補充 可控的重復性結果(離子槍電壓,離子束電流和刻蝕時間) 刻蝕和鍍膜在同一真空腔內進行減少樣品處理 樣品刻蝕后立即鍍膜,排除樣品污染 包括一個膜厚度監控器精確控制薄膜厚度 高樣品生產量,專利Whisperlok能快速、簡單進行樣品交換 Whisperlok具有使樣品同時旋轉和搖動保證刻蝕和鍍膜均勻的特點 反應離子束刻蝕(RIBE系統) 無化學處理或操作安全 PECS使用手冊 一般來說,如果材料的組成具有不同的化學性質,通過常規化學刻蝕方法不可能揭示一種不同組成的材料其各個相的結構。但離子束刻蝕技術在這些實例中效果不錯。這種方法在金相學中比較重要的一個用途是用于具有極端不同化學潛能的金屬化學物的刻蝕。應用實例顯示,通過離子束刻蝕方法可以證明不同種類材料是通過不同加工工藝制得。 測試過程和結果 PECS(精密刻蝕鍍膜系統)中包含離子束刻蝕系統。系統中的大離子束源產生一個光束直徑為10mm的垂直入射離子束源給樣品,根據離子槍參數(離子槍電壓和離子束電流)。使試樣傾斜,如改變入射角以及刻蝕過程中旋轉試樣,刻蝕直徑可以進一步擴大。雖然金屬的各種化學組成非常不同,離子束刻蝕卻可以同時且完全地揭示各化合物的結構。DIC(微分干涉對比)可以用來增強由離子轟擊產生的刻蝕引起的特性反差。單個化合物濺射范圍在優化離子束刻蝕復合材料方面具有重要作用。雖然表面層和底層化學特性有巨大差異,但是其濺射范圍相近。 可選配斜面切割工具 型號682.40000斜面切割工具(SC-Tool)- 提供均質/非均質材料橫截面可組合切割并最小化減少其機械變形或損壞。 現有 使用精密刻蝕鍍膜儀(PECS)的SEM技術是一本32頁的小冊子,配以使用Gatan PECS得到的高質量照片以及利用PECS如何達到最佳結果的“方法”。主要包括清潔、鍍膜、刻蝕、金相、EBSD、DIE包覆、以及碳、鉻、鉑、金、鈀的濺射速率表。。

伯東公司真空鍍膜機

伯東公司真空鍍膜機

  • 品牌: 德國普發真空
  • 型號: pfeiffer classic系列
  • 產地:德國
  • 供應商:伯東企業(上海)有限公司

    伯東公司德國普發pfeiffer 鍍膜機-靈活設計適合技術研究、開發和生產,可實現高真空蒸發鍍膜,磁控濺射鍍膜,離子鍍.Pfeiffer Classic 系列鍍膜機(高真空鍍膜系統)經過大量實驗和技術知識積累研發設計主要應用領域: 光學,微電子學,顯示屏,光電工程,生物醫學工程等行業.價格電議:021-50463511Pfeiffer 鍍膜機主要型號包含:Pfeiffer Classic 250 鍍膜機(低成本實驗室系統,用于開發研究)Pfeiffer Classic 500 鍍膜機(最受歡迎的鍍膜機,用于系統研究、開發和批量生產)Pfeiffer Classic 570 鍍膜機 (緊湊設計適合工業使用)Pfeiffer Classic 580 鍍膜機 (通用的制造系統,滿足最高工業需求)Pfeiffer Classic 590 鍍膜機 (高吞吐量,通用的制造系統,滿足最高工業需求)Pfeiffer Classic 620 鍍膜機 (最大吞吐量)pfeiffer 鍍膜機主要優勢:可搭配多種泵組(渦輪分子泵、低溫泵或油擴散泵)pfeiffer 鍍膜機真空腔體可冷卻可加熱,極限真空度最高可達 < 5 10-7 mbar,腔體漏率 < 1 10-5 mbar l/s真空腔體大小 35 至 1300 l(特殊尺寸可定制)鍍膜機各種尺寸大小,根據實際應用和氣體吞吐量決定內置各種標準配件,堅固耐用滿足嚴苛工業環境低運營成本,易維護,兼容潔凈室通過附加配件升級鍍膜機功能pfeiffer 鍍膜機所有真空腔體均是不銹鋼材質pfeiffer 鍍膜機工藝:pfeiffer 鍍膜機蒸鍍過程優勢:抗反射涂層耐劃傷性涂料激光面鏡接觸金屬化合金的沉積(Co-evaporation)pfeiffer 鍍膜機磁控濺射介紹:除了高真空蒸鍍系統,伯東公司德國普發pfeiffer 也提供磁控濺射腔體可選load-lock.相應型號Classic 250 to 570,有標準版本供選擇或根據濺射過程選擇(SP)定制版本可用于:金屬層(金、銅、鋁、鉻、…)電介質層(二氧化硅,氧化鋁,…)透明導電層(ITO磁層合金的沉積(co-sputtering)伯東公司 主要經營產品 德國 Pfeiffer 渦輪分子泵, 干式真空泵, 羅茨真空泵, 旋片真空泵; 應用于各種條件下的 真空測量(真空計, 真空規管); 氦質譜檢漏儀;質譜分析儀;真空系統以及 Cryopump 冷凝泵/低溫泵, HVA 真空閥門, Polycold 冷凍機和美國KRI 離子源.伯東公司協助客戶選型并提供完善的售后服務,我司將竭誠為您服務!若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請登錄我們網站: www.hakuto-vacuum.cn或與市場部: 葉南 小姐聯系Tel: 86-21-5046-3511轉106Fax: 86-21-50461490Mobile: 86 13816124243E-mail: [email protected]

真空鍍膜儀

真空鍍膜儀

ACE真空鍍膜儀

ACE真空鍍膜儀

  • 品牌: 徠卡顯微系統
  • 型號: EM ACE200
  • 產地:德國
  • 供應商:天津徠科光學儀器有限公司

    Leica EM ACE 鍍膜儀 全新一代ACE系列鍍膜儀是徠卡與前沿科學家合作研發的結晶,它涵蓋了您在樣品制備過程中所需的所有鍍膜需求,從常溫鍍膜到冷凍斷裂/冷凍鍍膜. 樣品進行掃描電鏡觀察前,通常需要對其表面鍍一層金屬膜,以便減少觀察時產生的荷電,并增強二次電子或背散射電子信號,獲得更好的信噪比。 Leica EM ACE200是一款低真空鍍膜儀,可以選擇離子濺射鍍金屬膜或者碳絲蒸發鍍碳膜功能,或者同時具有這兩種功能。能夠滿足日常SEM需求,也可用于X-射線能譜及波譜分析,或者TEM銅網鍍碳膜。全自動電腦控制,自動完成抽真空,鍍膜,放氣等全過程,一鍵操作。采用當下非常流行的觸摸屏控制,簡單方便。 碳絲蒸發的新紀元 厚達40nm的碳膜可以被精確設定并準確獲得,通過脈沖碳絲蒸發,結合連續膜厚監控(石英片膜厚控制),和獨特的軟件控制來實現。碳膜因此實現高度可重復性和均勻性。得益于可拆卸式玻璃門,擋板和樣品室屏蔽內壁,鍍膜源和樣品臺,樣品室內部清潔工作非常簡便。主要特點:少…? 操作者干預時間和專業知識? 投入成本? 桌面占用面積? 密封表面-單門式設計? 清潔工作-可拆卸式玻璃門,樣品室屏蔽內壁和擋板? 操作工作-簡易的插入式連接設計-無需借助工具…即是多? 直觀的觸摸屏設計和自動化過程控制? 可定制硬件配置,軟件可升級? 實驗室空間? 可視化,裝樣簡便,抽真空快速? 鍍膜高效,使您的工作時間更自由? 鍍膜更純,膜厚更精準,結果重復性更好技術指標: 可任選離子濺射模式、碳絲蒸發鍍碳模式,或者雙模式,可選輝光放電(用于網格表面親水化) 專利設計脈沖式碳絲蒸發方式,可精確控制碳膜厚度 可選石英膜厚檢測器,精確控制鍍膜厚度,精度達0.1nm 全自動程序控制,自動完成抽真空,鍍膜,放氣等過程 觸摸屏控制,簡單方便 真空度7×10-3mbar 濺射電流:0-150mA可調 方形樣品倉專利設計,樣品倉尺寸:140mm(寬)×145mm(深)×150mm(高) 工作距離調節范圍:30mm-100mm

PECVD  MVS

PECVD MVS

  • 品牌: 美國MVSystems
  • 型號: MVS-PECVD
  • 產地:美國
  • 供應商:上海瞬渺光電技術有限公司

    薄膜沉積設備PECVD MVS公司簡介MVSystems, Inc. 由曼登博士(Dr. Arun Madan)創建于1989年。曼登博士曾在英國丹迪大學從師于斯皮爾(Walter Spear)教授,是1970年代最早從事非晶硅材料和器件研究的人員之一。曼登博士在非晶硅薄膜晶體管(TFT)方面進行了開創性的研究,這是他的博士論文的主要內容之一。非晶硅薄膜晶體管現已成為平板顯示器中必不可缺的重要器件。公司在薄膜半導體技術和先進的高真空半導體薄膜沉積設備方面擁有14項專利,包括:多腔室PECVD沉積系統 主要產品 ? 用于柔性襯底的Reel-to-reel多室系統 - 主要產品碳熱絲化學氣相沉積設備 摻氟納米硅(微晶硅)材料P型寬帶隙非晶硅材料 摻氟二氧化錫絨面透明導電膜(與日本Asahi公司合作)公司生產制造的80多臺設備已銷往全世界23個國家和地區。公司生產的主要薄膜材料和器件產品包括:材料器件非晶硅(a-Si:H)薄膜硅太陽電池納米(微晶)硅 (nc-Si)薄膜晶體管氮化硅(SiNx),氧化硅(SiOx),氮氧化硅(SiON)成像器件氧化鋅(AZO),銦錫氧化物(ITO), 二氧化錫(SnO2)X光探測器MVSystems公司設計,制造和提供各類單腔室和多腔室薄膜沉積設備。另外,根據用戶的需求,各種PECVD,HWCVD,和PVD腔室可以單個制造,也可配備到現有的團簇型(星型)或是直線型沉積系。我們公司的工程設計部門盡可能為用戶著想,以使用戶們獲取他們最需要的且價格合適的設備。R&D toProduction可用于研發和生產?PECVD等離子化學氣相沉積?HWCVD熱絲化學氣相沉積?Sputter濺射?Anneal退火處理R&D Cluster toolsCluster tool w/ 8 port locations具有8個腔室的團簇型沉積系統15.6x15.6cm substrates襯底尺寸為15.6x15.6cmComputer controlled可完全由電腦程序控制操作運行PECVD, HWCVD and Sputter capability制備方式包括等離子體和熱絲化學氣相沉積,及濺射R&D Cluster toolsCluster tool w/ 10 port locations具有10個腔室的團簇型沉積系統15.6x15.6cm substrate襯底尺寸為15.6x15.6cmComputer controlled可完全由電腦程序控制操作運行PECVD, HWCVD, Sputter capability and in-vacuum characterization module制備方式包括等離子體和熱絲化學氣相沉積,以及濺射。另外,該系統還帶有一個測試腔, 用于在真空中測試所制備樣品的光電子性能。R&D Cluster toolsCluster tool w/ 8 port locations具有8個腔室的團簇型沉積系統30x40cm substrate襯底尺寸為30x40cmComputer controlled可完全由電腦程序控制操作運行PECVD, HWCVD and Sputter capability 制備方式包括等離子體和熱絲化學氣相沉積,及濺射。Silicon Nitride Coating Systems for Multi-crystalline Silicon Solar Cells用于制備多晶硅太陽電池的氮化硅涂層沉積設備In-Line PECVD system for HIT junctions用于制備高效異質結太陽電池的直線型等離子體化學氣相沉積系統Throughput: 18Reel to Reel Cassette SystemCassette houses flexible material卷筒用于裝載柔性襯底材料Cassette transported from one process chamber to another via a robotic handler制備薄膜時,卷筒可由真空機器手從一個腔室輸送至另一個腔室Advantages 此沉積系統的優點- Eliminates cross-contamination 在制備多層膜器件時消除了交互摻雜影響- Flexibility to adjust parameters on any part of the process. 制備薄膜時,能靈活控制各種運轉沉積參數- Down time reduced, i.e. each chamber can be serviced independently 因每個腔室可單獨維護,減少了停機非運轉時Reel to Reel Cassette Cluster toolsCluster tool w/ 8 port locations具有8個腔室的團簇型沉積系統15cm and 30cm webwidth柔性襯底的寬度可從15cm至30cmComputer controlled可完全由電腦程序控制操作運行PECVD, HWCVD and Sputter capability制備方式包括等離子體和熱絲化學氣相沉積,及濺射Amorphous silicon- intrinsic and doped (n+ and p+ type).非晶硅本征和摻雜(n+ and p+ 型)膜。Nano (or micro) crystalline silicon (intrinsic and doped)納米(或者微晶)硅 (本征和摻雜)膜。Dielectrics (SiNx, SiOx)介質薄膜(如SiNx, SiOx)。Transparent conducting oxides (ITO, AZO)透明導電薄膜 (如ITO,AZO)。Solar cells, TFT’s, imaging and memory devices etc. 太陽電池,非晶硅薄膜晶體管,電子成像和存儲器件等。In-house Cluster ToolSubstrate: 30x40cmDC, RF, pulsed-RF, VHF

ETD-100AF 熱蒸發鍍膜機

ETD-100AF 熱蒸發鍍膜機

  • 品牌: 北京博遠
  • 型號: ETD-100AF
  • 產地:
  • 供應商:北京意力博通技術發展有限公司

    儀器簡介:原理:ETD-100AF 是高真空熱蒸發式小型鍍膜機。采用電阻式蒸發原理,利用大電流加熱鉬舟或鎢絲藍或固定支架上的鍍膜材料,使其在高真空下蒸發,沉積在被鍍樣品上以獲得最佳鍍膜效果。適用范圍: 電子顯微鏡樣品制備和清潔光欄,以及科研、教學和企業中的實驗活動、工藝試驗。技術參數:配置和參數:* 真空室: 直徑230mm,高度:280mm * 靶材料: 碳、金等。 * 電極(兩對): 一對用于鉬舟或鎢絲欄,一對蒸碳。 * 最大電流: 100A * 最大電壓: 10V * 極限真空: 1×10 Pa * 工作真空: 2×10 Pa * 加熱功率: 1000W* 機械泵:4 升/每秒,AC 220V/50Hz * 復合分子泵: 600升/秒,AC 220V/50Hz(風冷)主要特點:特點:使用了大抽速、高壓縮比、自然風冷卻復合分子泵,確保噴鍍時能夠迅速抽掉蒸發源和樣品放出的氣體;正常情況下噴鍍室內極少有油蒸氣回流,非常清潔。可蒸發的材料: 碳、金等。

電鏡專用高真空鍍膜儀

電鏡專用高真空鍍膜儀

  • 品牌: 英國Cressington
  • 型號: Cresstington 108Auto/208HR
  • 產地:英國
  • 供應商:溢鑫科創科技集團

    Cressington 108Auto/208HRSPUTTER COATER 超高分辨濺射鍍膜儀分子泵超高分辨鍍膜,放大倍率可到30-60萬倍也不會看到鍍膜顆粒,適用于現階段超高分辨場發射或雙束電鏡使用如FEI Nova,Megglen,Verios,Helios等; Hitachi SU8000,SU8200,S4800,9000等; JEOL 7600F 7800F等; ZEISS Merlin,Ultra,Auriga;?專利磁控冷態噴鍍專利冷態鍍膜設計使用真正的“平衡磁控管”沒有等離子體電流在樣品,在得到高分辨非晶鍍膜層同時避免樣品受到熱損傷,對熱損傷或輻照損傷敏感樣品尤為適合?廣泛的鍍層靶材選擇特殊雙極磁控管頭設計和有效的氣體離子處理使得208HR擁有廣泛多種鍍層靶材選擇?全自動化設計自動的換氣與泄氣功能,濺射電流和電壓通過磁控頭的傳感線監控,蒸發源作為反饋回路中的一部分被控制保證了均勻一致的膜厚,和最佳的導電噴鍍效果。?超高精度膜厚監控設計使用可選MTM-20全自動高分辨膜厚監控儀可優化設計鍍膜條件達到0.1nm膜厚可控效果?多用途樣品托設計獨立的旋轉,水平和傾斜 3軸移動設計優化了多樣品以及不規則樣品的均勻一直鍍膜?可變的樣品室幾何設計為了優化鍍層結構樣品室幾何設計可用于調整噴鍍速度從1.0納米每秒到0.002納米每秒?廣泛的操作氣體壓力獨立的電壓,電流以及壓力回路控制系統允許可操作氬氣壓力從0.2-0.005mbar真空度?緊湊型時尚桌面式設計節能,緊湊設計消除了對于樓層空間要求,水要求和專業電氣連接要求鍍膜不同多樣樣品超高分辨208HR鍍膜系統現在針對噴鍍不同電鏡樣品提供了最理想的解決方案。為了減小噴鍍晶粒尺寸影響,208HR提供一套全系列的鍍膜靶材材料和前所未有的膜厚鍍層控制條件。為了更小優化充電效果,208HR的特殊樣品臺設計和大范圍的操作壓力提供了高精度的鍍膜一致性和統一性。 高低樣品室的配置也提供了更為方便的工作距離調整。可調式旋轉傾斜水平樣品臺超高分辨全自動膜厚監控儀 MTM-20208HR超高分辨鍍膜儀技術規格:樣品倉尺寸: 150mm 直徑, 可調高度: 165mm - 250mm,高強度不銹鋼結構濺射管頭:低電壓平面磁控管,靶材更換快速,環繞暗區護罩噴鍍靶材:鉻,鉑/鈀 標配, 金,鎢,銅,鋁,銥,銀等選配,其他材料按客戶需求提供濺鍍優點:基于微處理器反饋控制,遠程電流/電壓感應;提供真空安全聯鎖裝置,最大180A,配有過流保護,數字化可選電流(20,40,60 或80毫安)樣品臺:可放置12個標準EM樣品座,0到90度傾斜可調的旋轉水平樣品座,石英晶體探頭模擬計量:真空 Atm - 0.001mb 電流: 0 100mA控制方式: 全自動噴鍍控制,自動卸真空自動進氣功能,使用可編程電壓控制和計時數字計時 (0 300秒)以及暫停設計;全自動真空監測系統真空系統: 標配無油分子泵真空以及機械泵真空系統,泵抽速達到每秒80L,1.5分鐘內抽到真空度到1x10-4 mbar, 極限真空優于5x10-6 mbar,附帶減震臺的桌面式真空泵設計,全金屬耦合系統全自動超高分辨膜厚監控儀技術規格:MTM-20 基于微處理控制,4位顯示系統,6MHZ晶體監探器,每秒5次實時監控 MTM-20膜厚監控范圍: 0到999.9納米分辨率: 優于0.1納米密度范圍:0.50到30.00gm/cm3安裝環境要求:電源:200-240 VAC, 50/60Hz功率:550VA氬氣要求:99.99% 純氬氣,壓力設定0.5/0.6 bar, 6.0mm管路接口設備尺寸:寬600mm, 深600mm,高450mm, 重量40kG 備注:為保證銷售渠道正規,配套方案先進及統一的市場管理和售后服務,英國cressington在各個國家都只設唯一授權代理,中國官方授權總代為:溢鑫科創Yi Xin Technology,詳細信息請參考英國原廠官方網址:

VTC-100PA真空旋轉涂膜機

VTC-100PA真空旋轉涂膜機

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: VTC-100PA
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    VTC-100PA真空旋轉涂膜機適用于半導體、晶體、光盤、制版等表面涂覆工藝。本機可用于強酸、強堿性涂覆溶液的涂膜制備。主要特點1、真空吸附方式固定樣件,操作簡便。2、使用定位工具可將樣件很容易地放在中心位置,以減少偏心而造成的震動或飛片。3、根據樣件規格可以配用不同的吸盤,且更換方便簡單。4、設有12組程序,每組包含6個運行階段。5、電機啟動快速穩定,可以保證涂層厚度的一致性和均勻性。技術參數1、電機功率:50W/24V2、速度范圍:500-10000rpm3、程序運行:可儲存12組程序,每組程序包含6個運行階段4、增減速率設置范圍:100rpm/s-2000rpm/s5、時間范圍:0-60s6、吸盤:Φ19mm、Φ60mm7、本機可選配加熱功能1)加溫范圍:室溫150℃2)加熱蓋,水槽及吸盤采用耐高溫材質聚四氟3)溫度單獨控制,與主機程序控制無關聯產品規格尺寸:450mm×280mm×340mm重量:20kg標準配件1、真空吸盤(含O型圈)2、中心定位器(含4個定位柱)3、滴膠注射器(20ml)4、注射器支架5、無油真空泵6、橡膠管(含卡箍)可選配件過濾器(真空泵用)

PTL-HT高溫提拉涂膜機

PTL-HT高溫提拉涂膜機

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: PTL-HT
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    PTL-HT高溫提拉涂膜機能夠提供溫度高達1000℃的提拉涂膜環境,廣泛用于各種高溫提拉涂膜研究。例如,陶瓷類薄膜、晶體類薄膜、電池材料薄膜、特殊納米薄膜。本機能夠適應未來高溫條件下成膜技術的發展需要。主要特點1、普通提拉涂膜機都是提供200℃以下的溫度環境,本機可以提供1000℃以下的高溫環境,便于特殊材料的涂膜制備。2、可以在氮氣、氬氣等惰性保護氣體氣氛中使用,也可以在氧化氣氛中使用。3、設有三段溫區,且每段提拉速度均為無級調整。4、采用彩色觸摸控制屏,方便數據輸入,操作簡單快捷。5、已通過CE認證。技術參數1、電源:220V2、功率:3KW(包括加熱部分)3、提拉速度:1-200mm/min4、溫度:RT-800℃產品規格尺寸:560mm×470mm×1550mm標準配件1、載樣架2、載料杯3、高溫提拉絲可選配件特殊提拉卡具

PTL-MM01提拉涂膜機

PTL-MM01提拉涂膜機

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: PTL-MM01
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    PTL-MM01提拉涂膜機通過垂直提拉在液相中的樣件而生長薄膜。本機采用單板機控制,運行平穩準確,是大專院校、研究院所實驗室的理想設備。主要特點1、可配用高達200℃恒溫箱,提供穩定的恒溫環境進行提拉涂膜。2、已通過CE認證。技術參數1、電源:220V2、功率:50W3、提拉速度:1-200mm/min4、速度穩定性:±0.05%5、樣件尺寸:75mm×25mm×2.5mm產品規格尺寸:320mm×260mm×560mm重量:18kg標準配件1、防擺動控制座2、樣件夾具3、載料杯4、提拉絲可選配件1、快速樣件夾具2、提拉絲

PTL-MM02程控提拉涂膜機

PTL-MM02程控提拉涂膜機

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: PTL-MM02
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    PTL-MM02程控提拉涂膜機是專為研究液相外延薄膜而設計的,通過垂直提拉在液相中的樣件而生長薄膜。本機采用PLC程序控制,可設定提拉速度、停留時間、入液速度、循環次數。主要特點1、采用彩色觸摸屏,方便參數設置及調整。2、已通過CE認證。技術參數1、提拉速度:1-200mm/min2、速度穩定性:±0.05%3、樣件尺寸:75mm×25mm×2.5mm產品規格尺寸:320mm×260mm×560mm重量:17kg標準配件1、樣件夾具2、載料杯3、提拉絲

PTL-MM02-8P提拉涂膜機

PTL-MM02-8P提拉涂膜機

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: PTL-MM02-8P
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    PTL-MM02-8P提拉涂膜機是專為研究液相生長薄膜而設計的精密設備,通過垂直提拉在液相中的樣件而生長薄膜,廣泛應用于大專院校、科研院所等研究領域。本機采用高精度速度控制系統,以及觸摸屏參數輸入端,同時實現5個樣件提拉涂膜的全自動控制。主要特點1、8個工位可分別設置不同的提拉速度、停留時間、干燥時間2、適用范圍廣。技術參數1、電源:220V 50Hz2、X軸速度:500-5000mm/min3、Z軸速度:1-200mm/min4、行程:65mm5、樣件尺寸:75mm×25mm×2.5mm6、同時提拉樣件數量:5個7、提拉工位:8個8、停留、干燥時間:1-999s9、循環次數:1-999次產品規格尺寸:900mm×520mm×540mm重量:20kg標準配件1、載料杯固定板2、夾子固定板3、載料杯4、夾子5、防護罩可選配件1、可根據您的需要訂做不同尺寸的載料杯及載料杯固定架2、恒溫水箱(功率:800W;恒溫溫度:RT-70℃;溫度精度:不考慮環境影響為±1℃;容積:25L)

PTL-MM02-200程控垂直提拉涂膜機

PTL-MM02-200程控垂直提拉涂膜機

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: PTL-MM02-200
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    PTL-MM02-200程控垂直提拉涂膜機是專為研究液相生長薄膜而設計的精密設備,通過垂直提拉在液相中的樣件而生長薄膜。本機采用高精度速度控制系統,以及觸摸屏參數輸入端,實現提拉涂膜全過程的自動控制。主要特點可設定提拉速度、停留時間、入液速度、循環次數。技術參數1、電源:220V2、提拉速度:1-200mm/min3、速度穩定性:±0.05%4、行程:270mm5、樣件尺寸:310mm×260mm 厚度1-5mm6、提拉負荷:≤5.5kg標準配件1、控制盒2、浸液槽

PTL-MMB01恒溫提拉涂膜機

PTL-MMB01恒溫提拉涂膜機

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: PTL-MMB01
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    PTL-MMB01恒溫提拉涂膜機是專為研究液相外延薄膜而設計的,在恒溫環境中,通過垂直提拉在液相中的樣件而生長薄膜。主要特點1、提供穩定的恒溫提拉涂膜環境。2、已通過CE認證。技術參數1、提拉速度:1-200mm/min2、速度穩定性:±0.05%3、溫度:RT-100℃4、樣件尺寸:75mm×25mm×2.5mm產品規格尺寸:450mm×500mm×970mm標準配件1、樣件夾具2、載料杯3、提拉絲

PTL-MMB02-200恒溫垂直提拉涂膜機

PTL-MMB02-200恒溫垂直提拉涂膜機

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: PTL-MMB02-200
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    PTL-MMB02-200恒溫垂直提拉涂膜機是專為研究液相生長薄膜而設計的精密設備,在恒溫場內通過垂直提拉在液相中的樣件而生長薄膜。本機采用高精度速度控制系統,以及觸摸屏參數輸入端,實現提拉涂膜全過程的自動控制。主要特點由驅動器細分兩相混合式步進電機的步進角度。技術參數1、電源:220V 50Hz2、加熱功率:2.3KW3、提拉速度:1-200mm/min4、行程:250mm5、溫度:80℃-200℃6、溫度精度:±1.5℃7、熔斷器:15A8、樣件尺寸:407mm×229mm 厚度1-10mm9、提拉負荷:≤5kg產品規格尺寸:636mm×680mm×1520mm標準配件1、控制盒2、浸液槽

PTL-OV5P全自動5工位恒溫提拉涂膜機

PTL-OV5P全自動5工位恒溫提拉涂膜機

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: PTL-OV5P
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    PTL-OV5P全自動5工位恒溫提拉涂膜機用于同一樣件在不同液相中的多層涂膜,最多可達到5層。本機廣泛用于納米、化工、金屬等材料領域,更是廣大高等院校、研究院所涂膜的理想設備。主要特點1、采用觸摸控制屏,根據實際需要設置提拉速度、下降速度、停留時間。2、涂膜全程處在恒溫環境中。3、完成一種液相涂層后,自動轉入下一工序。4、5工位液相載盤按照程序自動旋轉。5、已通過CE認證。技術參數1、提拉速度:1-200mm/min2、速度穩定性:±0.05% 3、溫度:RT-100℃4、樣件尺寸:75mm×25mm×2.5mm產品規格尺寸:450mm×500mm×1060mm重量:45kg標準配件1、涂膜卡具2、載料杯(150ml)3、提拉絲

PTL-OV6P 6工位提拉涂膜機

PTL-OV6P 6工位提拉涂膜機

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: PTL-OV6P
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    PTL-OV6P 6工位提拉涂膜機在相同外界條件下,對多個樣件在不同液相中進行提拉涂膜,主要用于納米材料研究、表面處理及其它材料的提拉涂膜。主要特點1、設有6個工位,適合一次多個樣件的提拉涂膜。2、采用程控提拉速度、浸沒時間、干燥時間。3、已通過CE認證。技術參數1、電源:220V2、功率:800W3、提拉速度:1-200mm/min4、溫度:RT-100℃5、載料杯:Φ60mm 150ml6、樣件尺寸:50mm×25mm×2.5mm產品規格尺寸:450mm×500mm×1060mm重量:40kg標準配件1、涂膜卡具2、載料杯3、提拉絲可選配件多種卡具

PTL-UMB微米級恒溫提拉涂膜機

PTL-UMB微米級恒溫提拉涂膜機

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: PTL-UMB
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    PTL-UMB微米級恒溫提拉涂膜機是以微米為計量、專為在液相中提拉涂膜而設計的,通過垂直提拉在液相中的樣件而生長薄膜。本機采用PLC程序控制系統,以彩色觸摸屏為數據輸入輸出端,顯示提拉速度、提拉高度、提拉往返次數、間隔時間等參數。主要特點1、采用彩色觸摸屏,界面清晰,方便參數設置。2、提拉涂膜的全過程在恒溫溫度場內進行,有利于薄膜形成及固化。3、操作安全可靠,簡單易懂。4、已通過CE認證。技術參數1、電源:220V2、提拉速度:1μm/s-500μm /s3、速度穩定性:±0.05%4、溫度:RT-100℃5、樣件尺寸:75mm×25mm×2.5mm產品規格尺寸:450mm×500mm×970mm標準配件1、涂膜卡具2、載料杯3、提拉絲

SPC-1微型絲印涂層機

SPC-1微型絲印涂層機

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: SPC-1
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    SPC-1微型絲印涂層機是一款手動精密的絲網印刷機和電路涂布機,最大印刷面積為70mm×50mm,可精確的調整X、Y、Z三個方向,采用真空襯底方便裝卸。主要特點1、可在絲網框架內快速更換所需絲網。2、配有適用于印刷材料的刮板。技術參數1、絲網印刷面積:最小16mm×12mm,最大70mm×50mm2、位置調整及精度:X、Y、Z三個方向可調 X方向20mm,±0.01mm Y方向20mm,±0.01mm Z方向3mm,±0.05mm3、絲網角度調整:±10°可調4、基片支架:真空襯底5、絲網框架:上部框架外側180mm×130mm,里側156mm×106mm 底部框架外側125mm×108mm,里側105mm×88mm 絲網框架外側180mm×130mm,里側126mm×109mm產品規格尺寸:關閉上部框架時300mm×240mm×170mm,開啟上部框架時300mm×240mm×330mm重量:11kg可選配件真空泵

GSL-1800X-ZF4蒸發鍍膜儀

GSL-1800X-ZF4蒸發鍍膜儀

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: GSL-1800X-ZF4
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    GSL-1800X-ZF4蒸發鍍膜儀是一款高真空的蒸發鍍膜儀,特別適合蒸鍍對氧較敏感的金屬膜(如Ti、Al、Au等),也可蒸鍍各種氧化物材料。本機設有4個蒸鍍加熱舟,且每個蒸鍍舟都帶有擋板。若更改部分配置也可實現對有機材料的蒸發鍍膜,可滿足發光器件及有機太陽能電池方面的研究要求,是一款鍍膜效果理想且性價較高的實驗設備。主要特點1、真空控制單元全部集合在一個控制盒內。2、采用獨立的蒸鍍電流控制器,操作方便快捷。3、真空腔體設有1個KF40旁抽閥(直接與前級機械泵相連,方便快速取放樣品,提高效率)、1個CF150閘板閥(直接與 分子泵相連)、1個KF16法蘭(安裝電阻規)、5個CF35法蘭(1個安裝電離規,4個備用,便于安裝其他設備)。4、在腔體底部配有5個水冷電極,可支持4個蒸鍍加熱舟。5、4個蒸鍍加熱舟上方配有獨立的可移動擋板,有效地避免蒸發時相互污染。6、樣品臺安裝在腔體的頂部。7、腔內可裝高分辨率的薄膜測厚儀,精度為10埃。8、可使用循環水冷機。技術參數1、輸入:單相AC220V,50/60Hz,最大功率≤3.2KW2、蒸發輸出:電壓AC0-8V連續可調,最大蒸發電流200A3、真空腔:Φ300mm(內徑)×400mm,不銹鋼,內壁經電拋光處理4、腔門:Φ200mm5、觀察窗:Φ95mm,采用無氧銅密封圈密封6、真空泵:高抽速渦輪分子泵,抽速600L/s7、真空度:5.0×10-6torr(泵開啟40min后)8、極限真空度:5.0×10-7torr (加熱溫度為100℃-150℃)9、漏率:5.0×10-7Pa/s10、樣品臺:Φ140mm11、蒸發舟與樣品臺間距:260mm12、冷卻水需量:15L/min產品規格尺寸:650mm×1200mm×1600mm重量:600kg

OTF-1200X-RTP-II近距離蒸發鍍膜(CSS)爐)

OTF-1200X-RTP-II近距離蒸發鍍膜(CSS)爐)

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: OTF-1200X-RTP-II
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    OTF-1200X-RTP-II近距離蒸發鍍膜(CSS)爐是一款快速蒸發管式爐,專門用于PVD或CSS法制作薄膜;其爐管外徑為11″,爐管內載樣盤可放置3″的圓形或2″×2″的方形基片;加熱元件為兩組紅外燈管,分別安裝在腔體頂端和底部,升溫速率高達20℃/s;溫控系統采用PID30段程序化控制,控溫精度為±1℃,并且儀器面板上帶有RS485接口,若儀表內配有控溫軟件,就可將升溫程序和曲線導出。主要特點1、為了減小熱輻射和達到快速冷卻的效果,加熱元件被嵌在水冷機構上。2、緊貼頂部加熱元件上裝有一氮化鋁基片(Φ76mm×0.5mm),使得樣品基片上的溫度更加均勻。3、3″的石墨坩堝可放于底部加熱元件上,用于盛放蒸發料。4、真空法蘭通過兩個硅膠O型圈進行密封,通過機械泵其腔內真空度可達10-2torr,通過分子泵真空度可達10-5torr。5、兩個真空法蘭都可以通過手動操作進行上下移動。6、一個數字式真空顯示計安裝在法蘭頂部,可以精確測量腔內真空度。技術參數1、電源:單相AC208-240V(需20A的空氣開關)2、真空腔體:高純石英管,外徑280mm,內徑275mm,高229mm3、加熱元件:兩組IR紅外燈管,額定功率800W,總功率1600W4、熱電偶:S型熱電偶2個,分別安裝于上下法蘭上5、工作溫度:兩個加熱區域單獨工作的最高溫度≤650℃,兩加熱區域最大溫差≤350℃6、加熱速率:>8℃/s7、冷卻速率:>10℃/s(600℃-100℃)8、真空法蘭:316不銹鋼制作,配有1個KF-25接口、2個1/4″軟管接頭9、真空計:數字式真空顯示計可選配件1、PC控溫軟件 2、兩路混氣系統3、多路浮子混氣系統4、多路質子混氣系統5、真空泵6、水冷機

GSL-1100X-SPC-16單靶等離子濺射儀

GSL-1100X-SPC-16單靶等離子濺射儀

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: GSL-1100X-SPC-16
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    GSL-1100X-SPC-16單靶等離子濺射儀是一款緊湊型的等離子濺射儀,可進行金、鉑、銦、銀等多種金屬的濺射鍍膜,樣品直徑可達50mm,鍍膜厚度可達300埃,特別適用于SEM樣品的鍍膜。主要特點1、設有真空表、濺射電流表,可實時監控工作狀態。2、通過調節濺射電流控制器、微型真空氣閥,控制真空室壓強、電離電流及選擇所需要的電離氣體,以獲得最佳鍍膜效 果。3、鐘罩邊緣橡膠密封圈采用特殊設計,可保證長期使用不出現玻璃鐘罩崩邊現象。4、陶瓷密封高壓電極接頭比通常采用的橡膠密封更經久耐用。5、根據電場中氣體電離特性,采用大容量濺射真空室和相應面積濺射靶,使濺射鍍層更均勻純凈。6、已通過CE認證。技術參數1、電源:220V2、總功率:<2000W(包括真空泵)3、真空室:Φ160mm×120mm4、樣品臺:Φ50mm,且高度可調,可同時進行8個SEM樣品的鍍膜5、最大均勻鍍膜:Φ45mm產品規格尺寸:400mm×300mm×400mm重量:30kg標準配件1、金靶材2、進氣針閥3、保險絲可選配件金、銦、銀、鉑等各種靶材

GSL-1100X-SPC-16-3等離子三靶濺射儀

GSL-1100X-SPC-16-3等離子三靶濺射儀

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: GSL-1100X-SPC-16-3
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    GSL-1100X-SPC-16-3等離子三靶濺射儀是依據二極(DC)直流濺射原理設計而成的最簡單、可靠、經濟的鍍膜設備。本機特別之處是在一個真空室內安裝了三個靶,旋轉樣品臺可依次在同一樣品上涂覆三種材料。因此,適用于實驗室各種復合膜樣品的制備,以及非導體材料實驗電極的制作。主要特點1、設有真空表、濺射電流表,可實時監控工作狀態。2、通過調節濺射電流控制器、微型真空氣閥,控制真空室壓強、電離電流及選擇所需要的電離氣體,以獲得最佳鍍膜效 果。3、鐘罩邊緣橡膠密封圈采用特殊設計,可保證長期使用不出現玻璃鐘罩崩邊現象。4、陶瓷密封高壓電極接頭比通常采用的橡膠密封更經久耐用。5、根據電場中氣體電離特性,采用大容量濺射真空室和相應面積濺射靶,使濺射鍍層更均勻純凈。6、已通過CE認證。技術參數1、靶:Φ45mm2、真空室:Φ160mm×120mm3、最高真空度:≤4×10-2mbar4、靶位:3個5、最大電流:50mA6、可設定最長時間:900s7、微型真空氣閥:連接Φ3mm軟管8、最高電壓: 1600V DC9、機械泵:2L/s標準配件1、金靶材2、銀靶材3、鋁靶材4、進氣針閥5、保險絲可選配件金、銦、銀、鉑等各種靶材

GSL-1100X-SPC-16C濺射蒸鍍膜儀

GSL-1100X-SPC-16C濺射蒸鍍膜儀

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: GSL-1100X-SPC-16C
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    GSL-1100X-SPC-16C濺射蒸鍍膜儀配備了熱蒸發附件,具有濺射和蒸發兩種功能。不但可以用等離子濺射的方式鍍金屬膜,也可以用蒸發的方式得到碳或其他金屬單質的薄膜。本機能夠滿足掃描電子顯微鏡樣品的制備和非導體材料實驗電極的制作,也可以用于材料研究中各種新材料性能的實驗。主要特點配備了熱蒸發附件,可以蒸發碳絲或者其他材料,如鋁、不銹鋼等材料,同時具有濺射和蒸發的功能。因此擴展了應用范圍,特別適用于掃描電鏡樣品的制備。技術參數1、靶:Φ50mm2、樣品臺:Φ50mm3、真空室:Φ160mm×110mm4、真空度:4×10-1mbar-2×10-2mbar5、最大電流:50mA6、可設定最長時間:9999s7、最高電壓:1600V DC可調8、真空泵:4L兩級機械旋轉泵,極限真空2×10-2mbar標準配件1、金靶材2、碳繩3、鎢絲籃4、熱蒸發附件5、進氣針閥6、保險絲可選配件金、銦、銀、白金等各種靶材

GSL-1100X-SPC-16M磁控濺射鍍膜儀

GSL-1100X-SPC-16M磁控濺射鍍膜儀

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: GSL-1100X-SPC-16M
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    GSL-1100X-SPC-16M磁控濺射鍍膜儀是依據二極(DC)直流濺射原理設計而成的最簡單、可靠、經濟的鍍膜設備,適用于實驗室各種復合膜樣品的制備,以及非導體材料實驗電極的制作。主要特點1、設有真空表、濺射電流表,可實時監控工作狀態。2、通過調節濺射電流控制器、微型真空氣閥,控制真空室壓強、電離電流及選擇所需要的電離氣體,以獲得最佳鍍膜效 果。3、鐘罩邊緣橡膠密封圈采用特殊設計,可保證長期使用不出現玻璃鐘罩崩邊現象。4、陶瓷密封高壓電極接頭比通常采用的橡膠密封更經久耐用。5、根據電場中氣體電離特性,采用大容量濺射真空室和相應面積濺射靶,使濺射鍍層更均勻純凈。6、濺射頭采用Peltier制冷技術,可得到高性能、精細顆粒的涂層。7、可用水冷濺射頭、水冷載物臺。技術參數1、靶:Φ50mm2、真空室:Φ160mm×120mm3、最高真空度:≤4×10-2mbar4、最大電流:50mA(100mA)5、可設定最長時間:9999s6、微型真空氣閥:連接Φ3mm軟管7、最高電壓:1600V DC8、機械泵:2L/s產品規格尺寸:360mm×300mm×380mm標準配件1、金靶材2、進氣針閥3、保險絲可選配件金、銦、銀、鉑等各種靶材

GSL-1100X-SPC-15E-LD小型蒸鍍儀

GSL-1100X-SPC-15E-LD小型蒸鍍儀

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: GSL-1100X-SPC-15E-LD
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    GSL-1100X-SPC-15E-LD小型蒸鍍儀特別適合蒸鍍一些輕金屬,如、Al、Mg、和Li等;同時也可對樣品進行鍍碳處理,最大可處理的樣品直徑為50mm。主要特點1、配有直連式雙旋機械泵(裝有油污過濾器和防回油裝置),可使真空腔體真空度達到10-2torr。2、配有KF25波紋管和卡箍。3、可進行鍍碳處理。4、已通過CE認證。技術參數1、輸入電壓:AC208V-240V 50/60Hz2、功率:<2000W3、真空腔體:熔融玻璃管,Φ160mm×110mm4、載物臺:Φ50mm5、最大蒸鍍區域:Φ45mm6、鎢絲舟:3個7、真空度:≤10-2torr(雙旋機械泵)產品規格尺寸:360mm×300mm×380mm重量:50kg標準配件1、鎢絲舟2、碳纖維注意事項1、對于蒸鍍對氧較敏感的材料,建議使用渦旋分子泵。2、為了達到較高的無氧環境,至少要用高純惰性氣體對真空腔體清洗3次。

GSL-1100X-SPC-12等離子薄膜濺射儀

GSL-1100X-SPC-12等離子薄膜濺射儀

  • 品牌: 沈陽科晶
  • 型號: GSL-1100X-SPC-12
  • 產地:
  • 供應商:沈陽科晶自動化設備有限公司

    GSL-1100X-SPC-12等離子薄膜濺射儀專門為在基底上鍍金屬膜(如金、鉑、銦、銀等)而設計,最大放置樣品尺寸直徑為40mm,膜厚可達300?,特別適用于為SEM樣品鍍金而作為導電極。主要特點1、可以調節電流大小,可設置濺射時間。2、已經過CE認證。技術參數1、輸入電源:208V-240V 50Hz/60Hz2、樣品臺:Φ60mm,高度可調節3、石英腔體:Φ100mm×130mm4、進氣口:內部裝有閥門,可以向腔體內通入各種氣體5、靶材:純度為4N的金靶,Φ57mm×0.12mm 產品規格尺寸:480mm×320mm×150mm重量:20kg可選配件1、Au(Φ57mm×0.12mm,4N)2、Pt(Φ57mm×0.12mm,4N)3、Ag(Φ57mm×0.5mm,4N)

英國QuorumSC7620離子濺射鍍膜儀

英國QuorumSC7620離子濺射鍍膜儀

  • 品牌: 英國Quorum
  • 型號: SC7620
  • 產地:英國
  • 供應商:南京覃思科技有限公司

    儀器簡介:SC7620濺射鍍膜儀英國Quorum的SC7620是一臺結構緊湊、價格低廉的磁控離子濺射鍍膜儀。如與鍍碳附件(CA7625F)結合使用,為理想的低價位掃描電鏡濺射、鍍碳系統。SC7620耐用、易操作。SC7620適合預算有限、需要高質量鍍膜、儀器易操作的用戶。對于常規應用,SC7620具有φ100(4″)的玻璃腔室,使用磁控濺射頭,帶有易更換的圓片靶(標配為金/鈀合金)。濺射頭為方便的鉸鏈式,并具有電安全互鎖裝置。高壓電纜帶有屏蔽功能,以預防意外損壞。通過氬氣針閥調整真空度,以改變等離子電流;氣體注入系統可預設等離子放電。必備:推薦使用50l/m雙級旋轉機械泵(E5005F),隨機配有油霧過濾器。如果想使用已有的旋轉機械泵,確保它的容量為50l/m或更優是非常重要的。可選附件-鍍碳儀SC7620可選配(CA7625F)鍍碳裝置,包括蒸發電源和碳絲頭。鍍碳附件很容易安裝。用碳絲頭替換鉸鏈式連接的濺射頭即可。為確保暴露在外的濺射頭不被供電,安裝了機電互鎖裝置,以確保濺射頭斷電。SC7620定單信息選擇靶金/鈀合金作為標配。與金相比,顆粒更細。金:通常為首選。鉑:濺射顆粒尺寸比金和金/鈀合金還要細小。濺射速率減慢,價格比金和金/鈀合金昂貴一些。銀:與其它金屬比較,銀鍍層容易取下,較適用于博物館和法院的樣品鍍膜。鈀:用于X-射線微量分析時,常用來取代金、金/鈀和鉑。請訪問:www.tansi.com.cn查看詳細資料技術參數:靶所有的靶尺寸均為57mm直徑x0.1mm厚(除非另外指定)SC502-314A 金靶SC502-314B 金/鈀合金靶SC502-314E 銀靶SC502-314F 鈀靶SC502-314A/0.2MM 金靶,厚度0.2mmSC502-314B/0.2MM金/鈀合金靶,厚度0.2mmSC502-314C/0.2MM鉑靶,厚度0.2mm泵E5005F 50 l/m雙級旋轉機械泵,帶有油霧過濾器(115/230 50/60Hz)E5006 替換的油霧過濾器可根據要求選用其它的泵,可選用國產泵。鍍碳CA7625F蒸碳電源220 - 240V尺寸:340 x 355 x 375mm頭:帶有碳絲A0819(1m)的碳絲頭CA0762F主要特點:價格低易操作磁控濺射頭緊湊設計快速循環時間(典型為2-3分鐘)可選碳絲蒸鍍樣品臺高度可調快速換靶(標配為金/鈀合金)符合所有新的安全標準:包括機電互鎖,以確保使用鍍碳附件時濺射頭斷電可靠耐用

上海三研 SYDC-100M 多層型浸漬提拉鍍膜機

上海三研 SYDC-100M 多層型浸漬提拉鍍膜機

上海三研 SYDC-100N 氮氣保護型浸漬提拉鍍膜機

上海三研 SYDC-100N 氮氣保護型浸漬提拉鍍膜機

Dipcoater浸漬鍍膜機

Dipcoater浸漬鍍膜機

BK802雙面涂膜器

BK802雙面涂膜器

  • 品牌: 四川畢克
  • 型號: BK802
  • 產地:成都
  • 供應商:四川畢克科技有限公司

    對干膜或濕膜的厚度進行嚴格的控制。在做常規質量控制及研究開發試驗時,涂料的遮蓋力、不透明性、耐擦洗能力、抗流掛性能及其它質量試驗都要求有一個一致性好重復性佳的涂層。

BK-AFA-I250mm真空涂膜機

BK-AFA-I250mm真空涂膜機

  • 品牌: 四川畢克
  • 型號: BK-AFA-I
  • 產地:成都
  • 供應商:四川畢克科技有限公司

    BK-AFA-I是一款通過CE認證的自動涂覆機,用千分尺調節以達到所要涂覆的薄膜厚度。儀器中配有一精密的可調制膜器,移動推桿以恒定的速度推動其勻速移動,從而達到漿料涂覆在基底上的均勻性,此款設備特別適合于制作電池基片,可保證基片每處的正/負極材料密度均一。

BK-AFA-IV夾具涂膜機

BK-AFA-IV夾具涂膜機

  • 品牌: 四川畢克
  • 型號: BK-AFA-IV
  • 產地:成都
  • 供應商:四川畢克科技有限公司

    實驗室小型涂布機的最大優點在于可以反復,持續地制備出光滑平整而無暇疵的測試樣品.?方便實驗人員在不同的底材上精確的涂布,減小以及消除了由于涂布速度以及壓力不同等人為因素造成的誤差。

全自動原子層沉積系統(ALD)

全自動原子層沉積系統(ALD)

  • 品牌: 美國Veeco
  • 型號: Savannah G2 ALD
  • 產地:美國
  • 供應商:香港電子器材有限公司

    Veeco(之前稱之為Cambridge Nanotech)已經有15年以上的ALD研發生產經驗。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大學,05年搬到Boston并生產出Thermal ALD - Savannah, 之后生產出Plasam ALD - Fuji、批量生產ALD-Phoenix。2017年被Veeco收購,并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今為止,Veeco在ALD設備已有15年多的經驗,全球已安裝五百多臺ALD設備。?方式: Thermal ALD (plasma option)優勢: 高性能,低成本,易于操作和維護薄膜: 氧化物Al2O3, HfO2, La2O3, Li2O, Li7La3Zr2O12, LiFePO4, SIO2, TiO2, ZnO, ZrO2, Ta2O5, In2O3, SnO2, Fe2O3, MnOx, Nb2O5, MgO, Er2O3, WOx, MoO3, V2O3 硫化物ZnS, SnS, Cu2S, In2S3, Cu2ZnSnS4,PbS, CoS等反應腔體大小: S100: 可達100 mm / S200: 可達200 mm  / S300: 可達300 mm設備尺寸: S100: 585 x 560 x 980 mm / S200: 585 x 560 x 980 mm / S300: 686 x 560 x 980 mm操作模式: 連續模式(高速) / 曝光模式(超高深寬比)功率: 115 VAC / 220 VAC,1900 W (不包含泵) (S300 2000W)最高溫度: S100: RT - 400 °C / S200: RT - 350 °C / S300: RT - 350 °C沉積均一性: Al2O3:<1% (1σ)循環時間: <2s per cycle with Al2O3 at 200°C兼容: 標準二端口,可增加至六端口。每一個源瓶均可放固態/液態/氣態前驅體,可獨立加熱至200°C閥門: 高速ALD閥門,10ms響應前驅體源瓶: 獨立可加熱50ml不銹鋼氣瓶,可選擇更大容量載氣/排氣: N2,100SCCM原位分析選項: 原位QCM, 原位橢便儀, 殘余氣體分析, LVPD, 批量生產, 集成手套箱等, 臭氧發生器, 批量生產, 自組裝單層膜(SAMs)顆粒鍍膜, 等離子體加強

全自動原子層沉積系統(ALD)

全自動原子層沉積系統(ALD)

  • 品牌: 美國Veeco
  • 型號: Fiji G2 Plasma ALD
  • 產地:美國
  • 供應商:香港電子器材有限公司

    Veeco(之前稱之為Cambridge Nanotech)已經有15年以上的ALD研發生產經驗。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大學,05年搬到Boston并生產出Thermal ALD - Savannah, 之后生產出Plasam ALD - Fuji、批量生產ALD-Phoenix。2017年被Veeco收購,并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今為止,Veeco在ALD設備已有15年多的經驗,全球已安裝五百多臺ALD設備。方式: Plasma & Thermal ALD優勢: 標準自動加載鎖定集成、加熱、薄箔ALD trap薄膜: 氮化物AlN, Hf3N4, SiN, TiN, GaN, InN, AlGaN, BN, NbN, NbTiN, VN, TiVN, WN, WCN, TaN, CoN 金屬Ni, Pt, Ru 氧化物Al2O3, HfO2 , Nb2O5, NiO, SiO2, Ta2O5, TiO2, ZnO, ZrO2, Li2O, LiPON, La2O3, SnO2, In2O3, ITO, Ga2O3, MgO, MgxZn1-xO 硫化物ZnS, SnS, Cu2S, In2S3, Cu2ZnSnS4,PbS, CoS, ZnOS等反應腔體大小: 可達200 mm設備尺寸: 1845 x 715 x 1920 mm操作模式: 連續模式(傳統Thermal ALD) 曝光模式(超高深寬比) 等離子體模式(等離子體加強ALD)功率: 220-240 VAC, 4200 W per reactor (不包含泵)最高溫度: 標準200mm襯底加熱至500°C / 可選100mm襯底加熱至800°C沉積均一性: 1σ均一性 / Thermal Al2O3 -1.5%, Plasma Al2O3 -1.5%循環時間: <2s per cycle with Al2O3 at 200°C兼容: 標準四端口,可增加至六端口。每一個源瓶均可放固態/液態/氣態前驅體,可獨立加熱至200°C閥門: 工業標準ALD閥門(最小響應10ms)前驅體源瓶: 50cc(最多填充25ml)不銹鋼氣瓶載氣/排氣: 100 sccmAr precursor carrier gas MFC  / 500 sccmAr Plasma gas MFC / 100 sccm N2 plasma gas MFC / 100 sc100 sccm H2 plasma gas MFC / cm O2 plasma gas MFC原位分析選項: H2S兼容配件, 原位QCM, 原位橢便儀, RGA端口, 光發射光譜儀, 樣品高度高達57mm的晶圓臭氧發生器, LVPD, 集成手套箱, 襯底偏壓?

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